99久,亚洲情a成黄在线观看,最新国产一区在线观看,中字一区二区中文字幕欧美日韩精品 ,99精品国产乱码久久久人妻

主頁 > 要聞 > 正文

芯片上“長”出原子級薄晶體管,可大幅提高集成電路密度

2023-05-04 07:22:44  |  來源:云財經(jīng)  |    


【資料圖】

美國麻省理工學(xué)院一個跨學(xué)科團隊開發(fā)出一種低溫生長工藝,可直接在硅芯片上有效且高效地“生長”二維(2D)過渡金屬二硫化物(TMD)材料層,以實現(xiàn)更密集的集成。這項技術(shù)可能會讓芯片密度更高、功能更強大。相關(guān)論文發(fā)表在最新一期《自然·納米技術(shù)》雜志上。這項技術(shù)繞過了之前與高溫和材料傳輸缺陷相關(guān)的問題,縮短了生長時間,并允許在較大的8英寸晶圓上形成均勻的層,這使其成為商業(yè)應(yīng)用的理想選擇。(科技日報)

關(guān)鍵詞

編輯:HE02
上一篇:天風(fēng)證券:人工智能之火點燃算力需求 AI服務(wù)器迎投資機遇    下一篇:最后一頁